KAIST, DRAM 메모리 셀 내부에서 인공지능 연산을 수행하는 PIM반도체 기술 개발
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KAIST, DRAM 메모리 셀 내부에서 인공지능 연산을 수행하는 PIM반도체 기술 개발
  • 이현건 기자
  • 승인 2023.03.15 20:06
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- 세계 최초로 하나의 메모리 셀로 메모리, 연산기, 데이터 변환(Analog to Digital) 기능을 지원하는 ‘트리플 모드 셀’ 개발
- 국내 최초 아날로그형 DRAM-PIM 반도체로 집적도·연산 성능 획기적으로 향상, 다양한 인공지능 모델 지원 기대
- 과기정통부 지원 ‘PIM반도체 설계연구센터(PIM-HUB)’의 산·학 협력을 통한 연구성과 창출 본격화

 

                                ISSCC (국제고체회로설계학회) 발표사진 (발표자: 김상진 박사과정)
                       유회준 교수

과학기술정보통신부(이하 ‘과기정통부’)는 한국과학기술원(이하 ‘KAIST’) 유회준 교수 연구팀이 국내 최초로 DRAM 메모리 셀 내부에 직접 연산기를 집적하여 인공지능 연산을 수행하는 PIM 반도체인 ‘다이나플라지아(DynaPlasia: DRAM 기반으로 필요에 맞춰 하드웨어 구조를 형성해 다양한 인공지능 모델을 처리 가능하다는 의미)’를 개발했다고 밝혔다.

PIM(Processing-In-Memory)이란 하나의 칩 내부에 메모리와 프로세서 연산기를 집적한 차세대 반도체로, 메모리와 프로세서가 분리되어 있는 기존 컴퓨팅 구조(폰 노이만 구조, Von Neumann Architecture)에서 발생하는 데이터 병목현상 및 과다한 전력 소모 문제를 해결할 수 있다.

기존에도 PIM 반도체가 개발되기는 했지만, 대부분 셀(메모리를 구성하는 기본 단위, 일반적으로 하나의 메모리 셀은 1비트의 이진 정보(0 또는 1) 저장 가능) 하나에 8개 이상의 트랜지스터가 필요한 SRAM(Static Random Access Memory)-PIM 방식이거나, 기존 PIM과 같이 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 기반 PIM으로 구현되었더라도 연산기를 메모리 셀 어레이의 내부가 아닌 외부에 근접하게 배치하는 디지털 PIM(Near Memory PIM) 방식이었다. 이러한 디지털 PIM 방식은 메모리와 연산기 사이의 거리를 줄이고 대역폭을 넓혀 데이터 병목현상은 감소하였지만 메모리 셀 내부에 직접 연산기를 집적하여 연산성능을 올리지는 못하였다.

이번에 연구팀이 발표한 ‘다이나플라지아(DynaPlasia)’는 아날로그형 DRAM-PIM 기반 AI 반도체로, 3개의 트랜지스터만으로 셀을 구성하였으며, 메모리 셀 내부에 연산기를 집적하고 높은 병렬성과 에너지 효율의 아날로그 연산 방식(인공지능 연산에 필요한 연산기를 아날로그 회로로 구현하는 연산 방식으로, 디지털 방식 대비 에너지 및 면적 효율이 높음)을 이용하여 집적도와 연산기능을 획기적으로 향상시켰다.

뿐만 아니라, 누설전류 내성 컴퓨팅*을 통해 모든 메모리 셀들이 병렬로 동작할 수 있도록 하여 기존 디지털 DRAM-PIM 방식 대비 약 300배 높은 병렬성으로 15배 높은 데이터 처리량을 보인다.
* 누설전류 내성 컴퓨팅: 메모리 셀 내부의 값이 누설전류에 의해 점차 소실되는 DRAM의 특성상, 기존에는 높은 병렬성의 아날로그형 DRAM-PIM의 구현이 어려웠으나, 이번 연구에서 개발된 누설전류 내성 컴퓨팅은 셀 내부 곱셈 로직에서 누설전류의 영향을 없앤 후 아날로그 연산을 수행해 모든 메모리 셀들이 병렬로 동작가능

또한, 기존 아날로그형 PIM 반도체에서는 메모리와 연산기, 그리고 아날로그-디지털 데이터 변환기를 별도로 구현하여 고정된 하드웨어 구조를 사용하였는데, 이번 연구에서는 세계 최초로 하나의 셀이 메모리, 연산기, 데이터 변환기의 기능을 동시에 지원할 수 있는 ‘트리플-모드 셀’을 개발하였다.

이에 따라, 기존 아날로그형 PIM 반도체는 연산 회로 자체의 잠재적 성능이 높더라도 고정된 하드웨어 구조로 인해 실제 인공지능 연산에서는 모델에 따라 성능이 저하되어 적용이 어려웠으나, ‘다이나플라지아’는 ‘트리플-모드 셀’을 이용, 실제 인공지능 연산에 맞춰 하드웨어 구조를 형성하는 동적 코어 형성 아키텍처로 기존 아날로그형 PIM 반도체보다 2.5배 가량 높은 효율성을 얻는다.

이번 연구는 과기정통부 ‘PIM인공지능반도체핵심기술개발(설계)’ 사업을 통해 설립된 ‘PIM반도체 설계연구센터(이하 ‘PIM-HUB’)’에서 진행되었으며, 지난달 미국 샌프란시스코에서 개최된 국제고체회로설계학회(ISSCC)에서 발표되었다.
* 논문명: DynaPlasia: An eDRAM In-Memory-Computing-Based Reconfigurable Spatial Accelerator with Triple-Mode Cell for Dynamic Resource Switching
* 저자: 김상진(제1저자), 이지용, 엄소연, 조우영, 하상우, 이주형, 김상엽, 한동현, 유회준

 ‘PIM-HUB’는 반도체 대기업과 산·학·연 간 협력을 강화하기 위해 지난해 6월 개소하였다. 삼성전자와 SK하이닉스가 운영위원으로 참여하며 상호 인력파견 및 공동연구 수행, 인력양성을 위한 교육과정 공동개발 등 인력교류를 추진하고 있다.

 KAIST 유회준 전기및전자공학부 교수는 “이번 연구는 기존 인공지능 반도체가 가지고 있던 메모리 병목현상을 해소할 뿐만 아니라, 높은 처리량과 가변성을 갖는 고메모리 용량의 DRAM-PIM을 개발했다는 점에서 의미가 크다. 본격적인 상용화에 성공할 경우, 최근 더욱 거대해지고 다양해지는 인공지능 모델에서도 높은 성능을 보일 수 있을 것”이라고 연구의 의의를 설명했다.

과기정통부 전영수 정보통신산업정책관은 “PIM반도체 기술은 메모리 반도체 기술에 강점을 보유한 우리나라가 앞서나갈 수 있는 잠재력이 높은 분야”라며, “글로벌 최고 수준의 초고속·저전력 인공지능 반도체를 개발할 수 있도록 하드웨어 뿐 아니라 국산 인공지능 반도체를 데이터센터에 적용하기 위해 필요한 소프트웨어 및 클라우드 관련 기술개발까지 적극적인 지원을 아끼지 않겠다”고 밝혔다.

 

 


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